ToppnyheterSenaste nytt
Bli medlem
Flashminnet får konkurrens. Arkivbild. (TT)
Tech

”Raketminnet” – 100 000 gånger snabbare än flash

Av David Henriksson
Publicerad:

Flashminnet, länge ansetts som en ”game changer” inom olika lagringsformat kan snart få en utmanare. Tillsammans med Samsung utvecklar nu IBM ett lagringsformat som uppges vara 100 000 gånger snabbare än flashminnet. Det skriver TechWorld. Företagen använder en teknik kallad spin-transfer torque (stt) som bara använder 7,5 mikroampere ström. Det betyder i klarspråk att hastigheten kommer att bli ”brutal”, skriver TechWorld. Användningsområdet är brett på grund av möjligheten att lagringstypen inte bara snabbare, utan saknar begränsningar vad gäller antalet läsningar och skrivningar.
– Flashminne i digitala kameror kan användas för ungefär 10 000 skrivningar innan det slits ut. Det räcker bra för att ta bilder, men sådant minne skulle bli utslitet på en sekund om det användes som arbetsminne, skriver Daniel Worledge, ansvarig för utveckling av minnestypen på IBM Research i ett mejl till TechWorld.

IBM hoppas på att få i gång massproduktionen inom tre år
techworld.idg.se
bakgrund
 
Spin-transfer torque
Wikipedia (en)
Spin-transfer torque is an effect in which the orientation of a magnetic layer in a magnetic tunnel junction or spin valve can be modified using a spin-polarized current. Charge carriers (such as electrons) have a property known as spin which is a small quantity of angular momentum intrinsic to the carrier. An electric current is generally unpolarized (consisting of 50% spin-up and 50% spin-down electrons); a spin polarized current is one with more electrons of either spin. By passing a current through a thick magnetic layer (usually called the “fixed layer”), one can produce a spin-polarized current. If this spin-polarized current is directed into a second, thinner magnetic layer (the “free layer”), angular momentum can be transferred to this layer, changing its orientation. This can be used to excite oscillations or even flip the orientation of the magnet. The effects are usually only seen in nanometer scale devices.

Mer om spin-transfer torque (stt)

Stt är en typ av Mram som kan användas i tillämpningar som kräver extremt låg elförbrukning. När information skrivs används väldigt lite el och annars ingen alls eftersom information lagras beständigt. Mram står för Magnetoresistive Random-Access Memory. Det är ett halvledarminne som lagrar data med hjälp av magnetiskt spinn. Källa: TechWorld

Annons
Betalar du för mycket för bredband? Jämför priser på Bredbandsval och sänk din kostnad
Bredbandsval
Omni är politiskt obundna och oberoende. Vi strävar efter att ge fler perspektiv på nyheterna. Har du frågor eller synpunkter kring vår rapportering? Kontakta redaktionen